QDGF-J08

SiO₂ 99.99%，杂质控制严苛，D50=8.6μm，粒度适中。莫氏硬度 7.0，介电、热学性能稳定，绝缘性佳，兼顾流动性与填充性能，广泛用于半导体封装、光学、电子及航空领域。