SiO₂含量 99.99%，严格控制铝、铁、钠、氯等杂质，D50=5.2μm，粒径细小且分布窄。莫氏硬度 7.0，介电常数 4.6，介电损耗低，热膨胀系数小，热传导性能优异，化学稳定性好，适合高纯度、细粒径要求的电子、半导体、光纤封装场景。
